在如今的大数据时代，通过对数据的存储、挖掘、分析，不仅使生活更便利，也提升了幸福感。其中，DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory）是指双倍数据率同步动态随机存取存储器，一般简称DDR。发展至今，主要有DDR，DDR2，DDR3，DDR4，DDR5等版本。对于DDR SDRAM系统的电源供电，除了常规的VCC电源以外，要求有三组电源，分别为：VDDQ，VTT和VREF。其中，根据拓扑结构的不同，有的设计无需使用有源VTT（如控制器所带较少数量DDR的情况下），而在一驱多的情况下，VTT要求拉灌电流能力较大，此时需要使用DDR终端稳压器。为此，意大利贵宾会推出一颗DDR终端稳压器TMI62033，具有兼容DDR-DDR4的应用需求、具备3A的拉灌电流能力、更快的瞬态响应速度，能有效改善数据传输质量；同时内置PG及多种保护功能，保障输出系统更稳定，适用工业控制FPGA、显示屏（视频转换）等领域。

3A拉灌电流能力，更优的负载调整率，改善数据传输质量

通常一个控制器会下挂很多DDR颗粒，导致总线上的拉灌电流较大，因此需要能瞬间提供较大拉灌电流能力的VTT电源。TMI62033具备3A的拉灌电、流能力，负载调整率及电压稳定性能力均优于竞品，有效改善数据传输质量。如下实测对比：

拉灌电流能力&负载调整率对比图

相同外围参数下，TMI62033在带载±3A条件下，电压变化可控制在±25mV以内。同条件下xxx51200在带载±2A下，电压变化达到±35mV以内。

更快的瞬态响应速度，输出更稳定

作为DDR终端稳压器，其动态特性在数据传输过程中也是至关重要；TMI62033相对竞品有着更快的的动态响应速度，实现更低的动态输出纹波，输出更加稳定。如下实测波形对比：

实测动态纹波

高兼容性、内置PG及多种保护功能

TMI62033 可支持的DDR SDRAM内存种类有 DDR、DDR2、 DDR3、LPDDR3、DDR3L、 DDR4和LPDDR4等的VTT供电应用；芯片内置PGOOD功能，反馈电源状态给主控；同时内置多种保护功能，软启动、欠压锁定 (UVLO) 、过流限制 (OCL)、热关断保护等，进一步提升系统的安全可靠性。

典型应用原理图

产品特点：

• 输入电压范围：2.375V 至 3.5V

• VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V

• VREFIN, VREFOUT, VO电压范围：0.5V 至 1.8V

• 具有最大3A灌电流和拉电流终端稳压器

• ±25mA 基准带载能力 (REFOUT)

• 优化内部环路补偿实现更小的动态纹波

• 用于监视输出稳压的 PGOOD

• 远程检测 (VOSNS)

• REFIN 允许直接或通过分压电阻与VDDQ连接

• 内置软启动、欠压锁定 (UVLO) 、过流限制 (OCL)、热关断保护

• DFN3x3-10 封装

随着数据的爆炸式增长，DDR供电系统也在不断地更新换代，为了提高能效，主电源电压不断降低，内存协议不断的更新，意大利贵宾会电子将在现有的技术上不断突破自我，迅速推出更多能解决客户痛点的系列化产品，加速技术和产品创新迭代，为产业提供可靠性助力，为行业生态的完善增加“芯”动力。